錫粒原材料的有機(jī)化學(xué)構(gòu)成、構(gòu)造及其顯微鏡組織關(guān)系是確定其特性及其運(yùn)用的主要因素，可以用以錫粒原材料表現(xiàn)的分析化學(xué)方式現(xiàn)已變成錫粒高新科技中不可或缺的研究方式。
從錫粒原材料的表現(xiàn)技術(shù)性視角歸類，如下圖所示
錫粒原材料表現(xiàn)技術(shù)性
下邊各自從錫粒原材料的構(gòu)成成份、外貌、粒度分布、構(gòu)造等領(lǐng)域開展簡易詳細(xì)介紹。
1.構(gòu)成化學(xué)成分分析
在我們生成好錫粒原材料后，大家一般必須了解原材料的成份是不是大家要想的，進(jìn)而開展下一步有關(guān)功能的檢測。因而先明確錫粒原材料的元素組成，分辨材質(zhì)的純凈度，是不是含殘?jiān)捌錆舛戎档扔葹橹匾閷?shí)現(xiàn)此目地，下列表現(xiàn)技術(shù)性我們可以挑選。
a.用于剖析錫粒原材料的體相元素組成及其殘?jiān)煞荩?/span>
毀滅性試品統(tǒng)計(jì)分析方法：
ICP-OES電感器藕合等離子分子光譜分析法
AAS火苗和電加熱分子光譜圖
ICP-MS電感器藕合低溫等離子質(zhì)譜分析
TOP-SIMS航行時(shí)間二次正離子質(zhì)譜分析
非毀滅性試品統(tǒng)計(jì)分析方法：
XFSX-放射線熒光光譜
XRDX-放射線透射光譜儀
b.用于剖析錫粒原材料的外表與微區(qū)成份：
XPSX射線光電子能譜---10um，表層
AES俄歇電子能譜儀--2nm，表層
TOP-SIMS航行時(shí)間二次正離子質(zhì)譜分析---1um，表層
EDS能量色散X射線譜---0.5nm-1um，體相
2.外貌剖析
原材料的許多關(guān)鍵物理學(xué)特性是由其外貌特點(diǎn)所確定的，例如顆粒與錫粒線和筒狀的錫粒原材料的化學(xué)物理特性有較大的差別。因而人們也必須運(yùn)用一些技術(shù)性來表現(xiàn)錫粒原材料的外貌，常見的有下面技術(shù)性能夠挑選：
錫粒顆粒的外貌剖析
除開之上四種，此外也有掃描儀散射透射電鏡(STEM)，場發(fā)送光學(xué)顯微鏡(FEM)，場正離子光學(xué)顯微鏡(FIM)這些。
3.粒度分布
針對錫粒原材料，其顆粒尺寸和樣子對資料的特性起著關(guān)鍵性的功效。一般因?yàn)轭w粒物形態(tài)的多元性，難以立即用一個(gè)限度來敘述一個(gè)顆粒物尺寸，因而，普遍選用等效電路粒度分布的定義來敘述。不一樣的粒度分布技術(shù)性所根據(jù)的測定基本原理不一樣，其顆粒物特點(diǎn)也不一樣，因而也只能開展等效電路比照。剖析錫粒原材料粒度分布的技術(shù)性常見的有下列二種。
SEM/TEM
精確測量粒度分布范疇：1nm-5um
優(yōu)勢：給予顆粒物尺寸，遍布及其樣子數(shù)據(jù)信息，圖象形象化易了解。
缺陷：試品配制全過程會(huì)對結(jié)果有影響，抽樣量少會(huì)欠缺象征性。
PCS/DLS
精確測量粒度分布范疇：1nm-3um
優(yōu)勢：精確測量容積遍布，精確性高，迅速，能夠科學(xué)研究分散化系統(tǒng)的可靠性，不影響和影響管理體系原來情況。
缺陷：不適感用以粒度分析寬的試品精確測量。
4.結(jié)構(gòu)特征
除開成份和外貌及其粒度分布外，錫粒原材料的結(jié)構(gòu)特征對資料的特性也具有至關(guān)重要的功效，包含物相構(gòu)造、分子結(jié)構(gòu)等。
XRD：
主要用途：測量原材料的物相及其物相成分、晶粒大小，還能夠?qū)﹀a粒原材料的分子結(jié)構(gòu)開展剖析，包含晶胞參數(shù)、晶體結(jié)構(gòu)中的原子數(shù)及其分子位置信息等，能夠差別晶態(tài)和非晶態(tài)。
缺陷：敏感度較低，一般只有檢測試品中成分1%之上的物相，定量分析檢測的精確度都不高，所需樣本量大。對非晶試品不可以剖析。
Raman：
主要用途：根據(jù)拉曼光譜光的偏振峰能夠得到結(jié)晶的對稱和趨向信息內(nèi)容，根據(jù)峰寬能夠掌握結(jié)晶的品質(zhì)還可以利用一些特征頻率掌握像含C/MO等材質(zhì)的構(gòu)成。
缺陷：不宜檢測有瑩光數(shù)據(jù)信號(hào)的試品，瑩光狀況會(huì)對拉曼光譜數(shù)據(jù)信號(hào)造成影響，不一樣震動(dòng)峰重合和拉曼散射抗壓強(qiáng)度非常容易遭受光學(xué)元件主要參數(shù)等要素的危害。
SAED:
主要用途：關(guān)鍵用來明確物相及其他們與常規(guī)的趨向關(guān)聯(lián)、原材料中的構(gòu)造缺點(diǎn)等。
缺陷：電子衍射視角小，測量精度差，精確測量分子結(jié)構(gòu)比不上XRD。
SCXRD:
主要用途：運(yùn)用單晶體對X射線的散射效用來測量分子結(jié)構(gòu)。
明確：對結(jié)晶的純凈度品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)高。
