錫粒原材料的有機化學構成、構造及其顯微鏡組織關系是確定其特性及其運用的主要因素，可以用以錫粒原材料表現的分析化學方式現已變成錫粒高新科技中不可或缺的研究方式。

　　從錫粒原材料的表現技術性視角歸類，如下圖所示

　　錫粒原材料表現技術性

　　下邊各自從錫粒原材料的構成成份、外貌、粒度分布、構造等領域開展簡易詳細介紹。

　　1.構成化學成分分析

　　在我們生成好錫粒原材料后，大家一般必須了解原材料的成份是不是大家要想的，進而開展下一步有關功能的檢測。因而先明確錫粒原材料的元素組成，分辨材質的純凈度，是不是含殘渣及其濃度值等尤為重要。為實現此目地，下列表現技術性我們可以挑選。

　　a.用于剖析錫粒原材料的體相元素組成及其殘渣成份：

　　毀滅性試品統計分析方法：

　　ICP-OES電感器藕合等離子分子光譜分析法

　　AAS火苗和電加熱分子光譜圖

　　ICP-MS電感器藕合低溫等離子質譜分析

　　TOP-SIMS航行時間二次正離子質譜分析

　　非毀滅性試品統計分析方法：

　　XFSX-放射線熒光光譜

　　XRDX-放射線透射光譜儀

　　b.用于剖析錫粒原材料的外表與微區成份：

　　XPSX射線光電子能譜---10um，表層

　　AES俄歇電子能譜儀--2nm，表層

　　TOP-SIMS航行時間二次正離子質譜分析---1um，表層

　　EDS能量色散X射線譜---0.5nm-1um，體相

　　2.外貌剖析

　　原材料的許多關鍵物理學特性是由其外貌特點所確定的，例如顆粒與錫粒線和筒狀的錫粒原材料的化學物理特性有較大的差別。因而人們也必須運用一些技術性來表現錫粒原材料的外貌，常見的有下面技術性能夠挑選：

　　錫粒顆粒的外貌剖析

　　除開之上四種，此外也有掃描儀散射透射電鏡(STEM)，場發送光學顯微鏡(FEM)，場正離子光學顯微鏡(FIM)這些。

　　3.粒度分布

　　針對錫粒原材料，其顆粒尺寸和樣子對資料的特性起著關鍵性的功效。一般因為顆粒物形態的多元性，難以立即用一個限度來敘述一個顆粒物尺寸，因而，普遍選用等效電路粒度分布的定義來敘述。不一樣的粒度分布技術性所根據的測定基本原理不一樣，其顆粒物特點也不一樣，因而也只能開展等效電路比照。剖析錫粒原材料粒度分布的技術性常見的有下列二種。

　　SEM/TEM

　　精確測量粒度分布范疇：1nm-5um

　　優勢：給予顆粒物尺寸，遍布及其樣子數據信息，圖象形象化易了解。

　　缺陷：試品配制全過程會對結果有影響，抽樣量少會欠缺象征性。

　　PCS/DLS

　　精確測量粒度分布范疇：1nm-3um

　　優勢：精確測量容積遍布，精確性高，迅速，能夠科學研究分散化系統的可靠性，不影響和影響管理體系原來情況。

　　缺陷：不適感用以粒度分析寬的試品精確測量。

　　4.結構特征

　　除開成份和外貌及其粒度分布外，錫粒原材料的結構特征對資料的特性也具有至關重要的功效，包含物相構造、分子結構等。

　　XRD：

　　主要用途：測量原材料的物相及其物相成分、晶粒大小，還能夠對錫粒原材料的分子結構開展剖析，包含晶胞參數、晶體結構中的原子數及其分子位置信息等，能夠差別晶態和非晶態。

　　缺陷：敏感度較低，一般只有檢測試品中成分1%之上的物相，定量分析檢測的精確度都不高，所需樣本量大。對非晶試品不可以剖析。

　　Raman：

　　主要用途：根據拉曼光譜光的偏振峰能夠得到結晶的對稱和趨向信息內容，根據峰寬能夠掌握結晶的品質還可以利用一些特征頻率掌握像含C/MO等材質的構成。

　　缺陷：不宜檢測有瑩光數據信號的試品，瑩光狀況會對拉曼光譜數據信號造成影響，不一樣震動峰重合和拉曼散射抗壓強度非常容易遭受光學元件主要參數等要素的危害。

　　SAED:

　　主要用途：關鍵用來明確物相及其他們與常規的趨向關聯、原材料中的構造缺點等。

　　缺陷：電子衍射視角小，測量精度差，精確測量分子結構比不上XRD。

　　SCXRD:

　　主要用途：運用單晶體對X射線的散射效用來測量分子結構。

　　明確：對結晶的純凈度品質標準高。